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  1. 000.資料タイプ別
  2. 030.紀要・学内刊行物
  3. 032.研究報告
  4. Vol.4(1982)

低抵抗a-ZnS膜の作成とその電気的光学的特性

http://hdl.handle.net/10649/311
http://hdl.handle.net/10649/311
4da2029d-318f-4bbe-8c2a-8c86a53104a6
名前 / ファイル ライセンス アクション
K4_7.pdf K4_7.pdf (454.0 kB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2011-02-15
タイトル
タイトル 低抵抗a-ZnS膜の作成とその電気的光学的特性
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 鈴木, 聡

× 鈴木, 聡

WEKO 961

鈴木, 聡

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小黒, 洋一

× 小黒, 洋一

WEKO 962

小黒, 洋一

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飯田, 誠之

× 飯田, 誠之

WEKO 963

飯田, 誠之

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 964
姓名 スズキ, サトル
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 965
姓名 オグロ, ヨウイチ
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 966
姓名 イイダ, セイシ
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 967
姓名 Suzuki, Satoru
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 968
姓名 Oguro, Youichi
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 969
姓名 Iida, Seishi
著者所属
値 長岡技術科学大学
著者所属
値 長岡技術科学大学
著者所属
値 長岡技術科学大学
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 ZnS films having room temperature resistivities as low as 5-10 ohm cm have been prepared by a new process of sputtering at room temperature. The films were made by rf sputtering in an atmosphere of Ar from the source target of Al added ZnS powdered. The room temperature resistivity decreased with increasing Al content in the source. The films were found to be amorphous, but stable at least up to 130 C. The temperature dependence of the resistivity seems to imply variable range hopping conduction in the tail states below the mobility edge at and below room temperatures. Values around 3.0eV were obtained for optical gap energies of these films. Brief description is also given on the photoluminescence and photoconductivity observed in these films.
書誌情報 長岡技術科学大学研究報告

巻 4, p. 41-47, 発行日 1983-01-31
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0388-5631
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00177120
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
その他のタイトル
その他のタイトル Optical and electrical properties of low-resistivity a-ZnS films prepared by rf sputtering
出版者
出版者 長岡技術科学大学
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Ver.1 2023-05-15 11:29:42.157441
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