WEKO3
アイテム
高濃度イオン注入による材料合成 : 高濃度B^+注入によるTi化合物の生成とキャラクタリゼーション
http://hdl.handle.net/10649/322
http://hdl.handle.net/10649/322f1339a9d-bb91-4bf2-bbb0-861342f7cb39
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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K5_8.pdf (309.1 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高濃度イオン注入による材料合成 : 高濃度B^+注入によるTi化合物の生成とキャラクタリゼーション | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
河合, 晃
× 河合, 晃× 石井, 章聖× 岡本, 祥一× 小林, 健吉郎× 高田, 雅介× 山下, 努 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1072 | |||||
| 姓名 | カワイ, アキラ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1073 | |||||
| 姓名 | イシイ, ノリマサ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1074 | |||||
| 姓名 | オカモト, ショウイチ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1075 | |||||
| 姓名 | コバヤシ, ケンキチロウ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1076 | |||||
| 姓名 | タカタ, マサスケ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1077 | |||||
| 姓名 | ヤマシタ, ツトム | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1078 | |||||
| 姓名 | Kawai, Akira | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1079 | |||||
| 姓名 | Ishii, Norimasa | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1080 | |||||
| 姓名 | Okamoto, Shouichi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1081 | |||||
| 姓名 | Kobayashi, Kenkichirou | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1082 | |||||
| 姓名 | Takata, Masasuke | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1083 | |||||
| 姓名 | Yamashita, Tsutomu | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術技術科学大学 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Boron ions were implanted in Ti films with high dose of 7.1*10^17 and 2.3*10^18 ions/cm2. Depth profiles of boron ions in implanted samples were measured by secondary ion mass spectroscopy. The projected range and the standard deviation of boron ion profiles coincided well with theoretical values predicted from L.S.S. theory. Maximum boron concentration in implanted samples was higher than that of TiB2 synthesized by solid phase reaction. The formation of poly-crystaline TiB2 was confirmed by X-ray diffraction patterns. Electric conductivity of implanted samples was measured in the range of 4.2 to 350K. Small temperature dependence of the electric conductivity implied that amorphous compounds were formed as-implanted samples. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 5, p. 47-51, 発行日 1984-01-31 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Synthesis of TiB2 by high dose B+ implantation in Ti film | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
