WEKO3
アイテム
ZnドープによるCuGaS_2結晶の低抵抗化とフォトルミネッセンス
http://hdl.handle.net/10649/334
http://hdl.handle.net/10649/33444e8adb0-dd91-4eea-9177-a2b245ae66ff
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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K6_1.pdf (567.4 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ZnドープによるCuGaS_2結晶の低抵抗化とフォトルミネッセンス | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Copper gallium sulphide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | vapor growth | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | impurity doping | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electrical resistivity | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photoluminescence | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
川口, 浩志
× 川口, 浩志× 稲垣, 積× 飯田, 誠之 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1126 | |||||
| 姓名 | カワグチ, ヒロシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1127 | |||||
| 姓名 | イナガキ, ツモル | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1128 | |||||
| 姓名 | イイダ, セイシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1129 | |||||
| 姓名 | Kawaguchi, Hiroshi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1130 | |||||
| 姓名 | Inagaki, Tsumoru | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1131 | |||||
| 姓名 | Iida, Seishi | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Vapor grown CuGaS2 crystals, which are of the p-type conduction, have been found to be able to lower the resistivity by Zn doping. Zn doped low resistivity crystals were prepared with the following two methods; a)diffusion of Zn to as grown crystals under an atmosphere saturated with Zn + S , and b) iodine transport growth from source elements, where a part of constituent of Ga was replaced by dopant Zn. The room temperature resistivity of these crystals became 10-10^2 o cm for the former and 10^3-10^4 ohm cm for the latter, compared to 10^6-10^7 ohm cm for as-grown non-doped crystals,. The accept level responsible for lowering resistivity has an ionization energy of 100-130 meV, the values which were determined from the temperature dependence of the resistivity. The photoluminescence spectra of the doped crystals showed a corresponding change, exhibiting a new emission at around 570 nm at 77 K. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 6, p. 1-8, 発行日 1984-10-31 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Photoluminescence and electrical properties of CuGaS2 crystals doped with Zinc | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
