WEKO3
アイテム
GaAs及びGaP基板上のZnSエピタキシャル層の比較
http://hdl.handle.net/10649/349
http://hdl.handle.net/10649/349241fdc59-f022-42f3-b013-2e4b631cf522
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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K7_3.pdf (568.4 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GaAs及びGaP基板上のZnSエピタキシャル層の比較 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | epitaxial zinc sulfide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electrical property | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | X ray diffraction | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photoluminescence | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | trap level | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
八木, 行広
× 八木, 行広× 岸本, 誠一× 飯田, 誠之 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1177 | |||||
| 姓名 | ヤギ, ユキヒロ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1178 | |||||
| 姓名 | キシモト, セイイチ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1179 | |||||
| 姓名 | イイダ, セイシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1180 | |||||
| 姓名 | Yagi, Yukihiro | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1181 | |||||
| 姓名 | Kishimoto, Seiichi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1182 | |||||
| 姓名 | Iida, Seishi | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ZnS layers grown on GaAs and GaP substrates at 600~700 \C\ by vapor phase epitaxy were compared by several methods, such as X ray diffraction, photoluminescence, transient thermoluminescence and electrical measurements. The epitaxial layer quality was found to be better for ZnS/GaAs than for ZnS/GaP from the comparison of the half widths of X ray diffraction curves. The electrical resistivities of both layers are less than 0.1\Omega\cm and the room temperature mobility values are 50~90 cm\^2^/v\ten\sec, similar for both layers. However, the temperature dependence of the carrier concentration showed a large difference between the two, indicating a high degree of compensation for Zns/GaAs in contrast to a low degree of compensation for ZnS/GaP. The activation energies of the donors cannot be considered to be the same for ZnS/GaAs and ZnS/GaP. This fact suggests that the inclusion of Ga impurities in the layers is not a simple substitution, although the origin of low electrical resistivity for both layers is assumed to be taken from Ga impurities detected with SIMS analysis. The photoluminescence and transient thermoluminescence results also suggest that the role of Ga impurities is different in these epitaxial layers. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 7, p. 13-20, 発行日 1985-09-20 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Characterization and comparison of ZnS layers on GaAs and GaP substrates grown by vapor-phase epitaxy | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
