WEKO3
アイテム
トラップ準位の測定による気相エピタキシャルZnS/GaAs層の評価
http://hdl.handle.net/10649/393
http://hdl.handle.net/10649/3933d3705e1-5b3c-49bd-96e4-ffb356da4c75
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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K9_3.pdf (480.5 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | トラップ準位の測定による気相エピタキシャルZnS/GaAs層の評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Epitaxial zinc sulfide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | impurity doping | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electron trap | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | capture cross section | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
金藤, 仁
× 金藤, 仁× 張, 随安× 飯田, 誠之 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1516 | |||||
| 姓名 | キントウ, ヒトシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1517 | |||||
| 姓名 | チョウ, ズイアン | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1518 | |||||
| 姓名 | イイダ, セイシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1519 | |||||
| 姓名 | Kinto, Hitoshi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1520 | |||||
| 姓名 | Zhang, Suian | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1521 | |||||
| 姓名 | Iida, Seishi | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Personal-computer-aided trap level measurements by the transient thermoluminescence method were done for undoped, nitrogen-doped and phosphorus-doped ZnS epitaxial layers grown on GaAs substrates at about 700\C\. Usually, two trap levels having ionization energies of 0.38\pm\0.01eV and 0.47\pm\0.01eV exist in these layers. The value of electron capture cross section is (4.9\pm\1.8)\multiply\10\^-14^cm\^2^ for 0.38eV trap, while it is (7.0\pm\2.3)\multiply\10\^-16^cm\^2^ for 0.47eV trap. The shallower level is found for thin samples having layer thickness less than 7\mu\m, supporting a previous conclusion that the trap is related to Ga impurities originating from the substrate. The deeper level is seen for thick samples. Compared to undoped samples, the concentration of this deep trap is found to decrease for nitrogen doped samples prepared by adding ammonia in hydrogen flow during growth. This result seems to be consistent with the previous suggestion that the deep level is related to Cu contamination in the epitaxial layer. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 9, p. 15-21, 発行日 1987-08-10 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Characterization of vapor phase epitaxial ZnS layers grown on GaAs substrates by trap level measurements | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
