WEKO3
アイテム
プラズマCVD-SiNxCy膜のEPMAによる組成分析
http://hdl.handle.net/10649/413
http://hdl.handle.net/10649/413b5f7372b-f2cc-4858-9a8a-01699aa3487e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
K10_8.pdf (738.6 kB)
|
|
| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | プラズマCVD-SiNxCy膜のEPMAによる組成分析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Composition analysis | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiNxCy film | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | plasma CVD | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
森山, 実
× 森山, 実× 林, 範行× 鎌田, 喜一郎× 田辺, 伊佐雄 |
|||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1674 | |||||
| 姓名 | モリヤマ, ミノル | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1675 | |||||
| 姓名 | ハヤシ, ノリユキ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1676 | |||||
| 姓名 | カマタ, キイチロウ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1677 | |||||
| 姓名 | タナベ, イサオ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1678 | |||||
| 姓名 | Moriyama, Minoru | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1679 | |||||
| 姓名 | Hayashi, Noriyuki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1680 | |||||
| 姓名 | Kamata, Kiichirou | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1681 | |||||
| 姓名 | Tanabe, Isao | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長野工業高等専門学校機械工学科 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | This paper is concerned with the composition analysis using wavelength dispersive electron probe X-ray microanalyzer (EPMA) for SiNx, SiCy, SiNxCy films prepared by plasma CVD. The accelerating voltage of the electron beam was selected so that the region of X-ray projection source was limited within the film thickness. C, N, O and Si contents were analyzed from the intensities of characteristic X-ray. The contents of C, N and Si elements were approximately proportional to the feeding rates of the raw gases. By comparing the results derived from the peak height with that derived from the integral (product of peak height and half width) in intensities of characteristic X-rays, the latter was in good agreement with the results from gas volumetric analysis method, and seemed to have a higher precision. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 10, p. 63-70, 発行日 1988-08 |
|||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Composition analysis by EPMA for SiNxCy films prepared by plasma CVD | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
