WEKO3
アイテム
Preparation of ZnO by a nearby vaporizing chemical vapor deposition method
http://hdl.handle.net/10649/00000972
http://hdl.handle.net/10649/00000972e749b042-0a97-4d6a-bca7-83ce59722dc2
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
JMR18-2029-Nishino (1.2 MB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-02-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Preparation of ZnO by a nearby vaporizing chemical vapor deposition method | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Nishino, Junichi
× Nishino, Junichi× Nosaka, Yoshio |
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| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ZnO films were prepared by a nearby vaporizing chemical vapor deposition (CVD) method using bis(2,4-pentanedionato)zinc as a source material. The deposition rate increased exponentially from 0.58 to 147 nm min-1 with increasing substrate temperature. The highest preferred orientation to c-axis was obtained under the conditions that the distance between substrate and source surface (D) was 5.0 mm and the substrate temperature (Ts) was 300 °C. When we used a sapphire (0001) substrate, an epitaxial ZnO film could be deposited on this condition. | |||||
| 書誌情報 |
Journal of Materials Research 巻 18, 号 9, p. 2029-2032, 発行日 2003 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0884-2914 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | AM | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Cambridge | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Article | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | https://doi.org/10.1557/JMR.2003.0285 | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
