WEKO3
アイテム
含フッ素シリカ中のSi-F結合に関する分子軌道法を用いた研究
http://hdl.handle.net/10649/390
http://hdl.handle.net/10649/390f2b374f8-97f8-45ed-9f10-f8d438353973
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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K9_4.pdf (210.9 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 含フッ素シリカ中のSi-F結合に関する分子軌道法を用いた研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | molecular orbital | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MNDO | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | fluorine | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
内田, 希
× 内田, 希× 前川, 尚× 神明, 正弘× 横川, 俊雄 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1526 | |||||
| 姓名 | ウチダ, ノゾム | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1527 | |||||
| 姓名 | マエカワ, タカシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1528 | |||||
| 姓名 | シンメイ, マサヒロ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1529 | |||||
| 姓名 | ヨコカワ, トシオ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1530 | |||||
| 姓名 | Uchida, Nozomu | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1531 | |||||
| 姓名 | Maekawa, Takashi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1532 | |||||
| 姓名 | Shinmei, Masahiro | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1533 | |||||
| 姓名 | Yokokawa, Toshio | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学化学系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 北海道大学理学部 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 三重大学教育学部 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 北海道大学理学部 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | MNDO, a semiempirical SCF-MO method, was applied to the study of the nature of Si-F bonding in fluorine doped silica. The clusters Si(OH)\_4_, Si(OH)\_3_\^+^, Si(OH)\_3_X(X;f, Cl, BR, I), SiO\_4_[Si(OH)\_3_]\_4_ and SiO\_3_ [Si(OH)\_3_]\_3_F were treated in this study. The dissociation energies and two center energies of the Si-X bondings were calculated. The Si-F bonding was shown to be a stable bonding in comparison with the other Si-X bonding. In the calculations of SiO\_4_[Si(OH)\_3_]\_4_ and SiO\_3_[Si(OH)\_3_]\_3_F, charge rearrangements occurred on the Si-O linkages owing to the substitution of -OSi(OH)\_3_ for F. The nearest neighboring Si-O bondings to Si-Fbonding were shortened and the secondary nearest neighboring Si-O bondings were lengthened. This phenomena agree with the prediction of the Gutmann’s bond length variation rule. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 9, p. 23-26, 発行日 1987-08-10 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | A molecular orbital approach to the nature of Si-F bonding in fluorine doped silica | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
