15
ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 000.資料タイプ別
  2. 030.紀要・学内刊行物
  3. 032.研究報告
  4. Vol.6(1984)

過渡熱発光法によるZnS/GaAs気相エピタキシャル層のトラップ準位の測定

http://hdl.handle.net/10649/338
http://hdl.handle.net/10649/338
11d86c2e-c47c-4064-88a3-f9e7a9af430e
名前 / ファイル ライセンス アクション
K6_3.pdf K6_3.pdf (369.6 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2011-02-15
タイトル
タイトル 過渡熱発光法によるZnS/GaAs気相エピタキシャル層のトラップ準位の測定
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 Zinc sulfide
キーワード
主題Scheme Other
主題 vapor-phase epitaxy
キーワード
主題Scheme Other
主題 electron trap
キーワード
主題Scheme Other
主題 capture-cross section
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 岸本, 誠一

× 岸本, 誠一

WEKO 1141

岸本, 誠一

Search repository
飯田, 誠之

× 飯田, 誠之

WEKO 1142

飯田, 誠之

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 1143
姓名 キシモト, セイイチ
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 1144
姓名 イイダ, セイシ
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 1145
姓名 Kishimoto, Seiichi
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 1146
姓名 Iida, Seishi
著者所属
値 長岡技術科学大学電気系
著者所属
値 長岡技術科学大学電気系
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The trap levels of epitaxial ZnS crystals grown (100) n-Gaas substrates have been studied by transient thermoluminescence method, where the temperature dependence of the photoluminescence decay is analyzed. The samples prepared at a high substrate temperature (~700C), shwing the self-activated emission, have a trap level with an ionization energy of 0.41eV and an electron capture cross-section of 4.2*10^-14 cm^2. The origin of this trap is considered to be ga impurities, contamination from GaAs Substrate. On the other hand, the samples prepared at alow substrate temperature (~600C), exhibiting green- and blue- Cu related emissions, have atrap level with an ionization energy of 0.5eV and a capture cross-section of 1.0*10^-14 cm^2, and two other traps of 0.28 and 0.64eV. However, in this case correspondence to specific impurities is as yet unclear.
書誌情報 長岡技術科学大学研究報告

巻 6, p. 15-20, 発行日 1984-10-31
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0388-5631
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00177120
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
その他のタイトル
その他のタイトル Transient thermoluminescence studies of trap levels of ZnS layers grown on GaAs substrates by vapor-phase epitaxy
出版者
出版者 長岡技術科学大学
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-05-15 11:29:19.210583
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3