WEKO3
アイテム
過渡熱発光法によるZnS/GaAs気相エピタキシャル層のトラップ準位の測定
http://hdl.handle.net/10649/338
http://hdl.handle.net/10649/33811d86c2e-c47c-4064-88a3-f9e7a9af430e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
K6_3.pdf (369.6 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 過渡熱発光法によるZnS/GaAs気相エピタキシャル層のトラップ準位の測定 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Zinc sulfide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | vapor-phase epitaxy | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electron trap | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | capture-cross section | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
岸本, 誠一
× 岸本, 誠一× 飯田, 誠之 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1143 | |||||
| 姓名 | キシモト, セイイチ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1144 | |||||
| 姓名 | イイダ, セイシ | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1145 | |||||
| 姓名 | Kishimoto, Seiichi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1146 | |||||
| 姓名 | Iida, Seishi | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 長岡技術科学大学電気系 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | The trap levels of epitaxial ZnS crystals grown (100) n-Gaas substrates have been studied by transient thermoluminescence method, where the temperature dependence of the photoluminescence decay is analyzed. The samples prepared at a high substrate temperature (~700C), shwing the self-activated emission, have a trap level with an ionization energy of 0.41eV and an electron capture cross-section of 4.2*10^-14 cm^2. The origin of this trap is considered to be ga impurities, contamination from GaAs Substrate. On the other hand, the samples prepared at alow substrate temperature (~600C), exhibiting green- and blue- Cu related emissions, have atrap level with an ionization energy of 0.5eV and a capture cross-section of 1.0*10^-14 cm^2, and two other traps of 0.28 and 0.64eV. However, in this case correspondence to specific impurities is as yet unclear. | |||||
| 書誌情報 |
長岡技術科学大学研究報告 巻 6, p. 15-20, 発行日 1984-10-31 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0388-5631 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00177120 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Transient thermoluminescence studies of trap levels of ZnS layers grown on GaAs substrates by vapor-phase epitaxy | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 長岡技術科学大学 | |||||
